DRAM
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而查看詳情>導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。
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西部數(shù)據(jù)發(fā)布全新內(nèi)存固態(tài)盤：近DRAM的性能，4TB容量
根據(jù)西部數(shù)據(jù)官方的消息，西數(shù)發(fā)布了新款Ultrastar® DC ME200 內(nèi)存擴(kuò)展固態(tài)盤，可優(yōu)化內(nèi)存系統(tǒng)容量／性能，從而運(yùn)行對內(nèi)存有著高要求的應(yīng)用，滿足當(dāng)今實(shí)時(shí)分析和業(yè)務(wù)洞察的需求。
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中興事件再起，美國發(fā)布“晉華禁令”，這次遭殃的是存儲芯片DRAM
具體來說，美國方面認(rèn)為福建晉華即將大規(guī)模生產(chǎn)的DRAM，其技術(shù)可能源于美國，且量產(chǎn)之后會威脅到美國軍用系統(tǒng)供應(yīng)商的長期經(jīng)營利益。
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